-
Λειασμένο μονοκρυσταλλικό πυρίτιο:
Λειασμένη επιφάνεια και μονοκρυσταλλική δομή πυριτίου με εξαιρετικά χαμηλά επίπεδα ρύπων και ελαττωμάτων για ακριβείς ηλεκτρικές επιδόσεις.
-
Μοντέλα τύπου N και τύπου P:
Οι wafer διατίθενται σε εκδόσεις τύπου N και τύπου P, κατάλληλες για διάφορους σχεδιασμούς συσκευών.
-
Επεξεργασία κατά παραγγελία:
Επεξεργασία κατά παραγγελία σύμφωνα με τις απαιτήσεις του πελάτη για συγκεκριμένες ανάγκες κατασκευής.
-
Διάμετρος 3–8 ιντσών:
Διαθέσιμες wafer διαμέτρου 3–8 ιντσών για διαφορετικές γραμμές παραγωγής.
-
Υψηλή τάση και οπτοηλεκτρονικά:
Κυρίως χρησιμοποιείται σε συσκευές με υψηλή αντίστροφη τάση και οπτοηλεκτρονικά εξαρτήματα.
-
Χαμηλή περιεκτικότητα σε ακαθαρσίες:
Υψηλή αντίσταση με εξαιρετικά χαμηλά επίπεδα ακαθαρσιών και ελαττωμάτων για σταθερές ηλεκτρικές επιδόσεις.
-
Τεχνολογίες ζώνης τήξης:
Υποστηρίζονται πολλαπλές τεχνολογίες ζώνης τήξης (Direct Pull, Neutron Irradiation, Gas Phase Doping) για προσαρμοσμένες ιδιότητες.
